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一、基本情況

邢艷輝，女，1974年出生，博士，副教授，碩士生導師。

2001年畢業于長春理工大學光學工程專業，獲碩士學位，同年到在北京工業大學電子信息與控制工程學院從事教學與科研工作，2008年畢業于北京工業大學 微電子學與固體電子學專業， 獲博士學位。2007年獲得“北京工業大學德育教育先進個人”，2009年獲得“北京工業大學就業工作先進個人”。

二、科研工作

主要從事GaAs，GaN，InP，GeSi等半導體材料的光電特性測試分析工作，近年來主要利用高精度X射線雙晶衍射（XRD）、光致發光（PL）、原子力顯微鏡（AFM）等測試儀器研究GaN材料特性及LED器件制備工作。工作期間作為骨干成員參加了包括國家自然科學基金、863、北京市自然科學基金、北京市教委等課題的研究。

在研的科研項目：

1.國家自然科學基金，藍寶石圖形襯底上MOCVD定向控制生長半極性（11-22）GaN研究 （項目編號61204011，負責人）

2.北京市自然科學基金，MOCVD生長非極性a面GaN材料光電特性研究”的研究工作 （項目編號4102003，負責人）

3.北京市自然科學基金，GaAs基GaAsSb/InGaAsN VCSEL研究 （項目編號：4112006 第二負責人）

三、教學工作

主講本科生課程：《熱力學與統計物理》

四、論文

在國內外學術刊物發表論文40余篇，其中SCI、EI收錄36篇，代表性論文：

1.Xing Yanhui, Han Jun, Deng Jun et al, Investigation of GaN layer grown on different low misoriented sapphire by MOCVD，Applied Surface Science 2009 255 (3) :6121 -6124（SCI檢索號UT ISI：000264408000013）

2.Xing Yanhui, Han Jun, Deng Jun, et al， Interrupted Mg doping of GaN with MOCVD for improved p-type layers.  Vaccum  2007，82（9）：1-4 （SCI 檢索號UT ISI：000249879600001）

3.邢艷輝，鄧軍，李建軍等，引入n型 InGaN/GaN超晶格層提高量子阱特性研究 物理學報 2009 58（1）：590-595  （SCI檢索號UT ISI：000262834300094）            

4.邢艷輝,劉建平，鄧軍等，壘摻In提高InGaN/GaN多量子阱發光特性 物理學報 2007，56（12）：7295-7298（SCI檢索號UT ISI：000252018900080 ）

5.邢艷輝，韓軍，鄧軍等，淀積在不同小傾角藍寶石襯底的n型GaN的研究 物理學報 2009 58（4）：2644-2648（SCI檢索號UT ISI：000265324700080）

6.邢艷輝, 鄧軍, 徐晨等，p型GaN低溫粗化提高發光二極管特性 物理學報 2010 59（2）：1233-1236（SCI  檢索號UT WOS：000274699000079）

五、聯系方式

辦公電話：010-67392503轉839，010-67392924轉839 

Email：xingyanhui@bjut.edu.cn