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一、基本情況

呂長志，研究員，中國電子學會高級會員。1974年畢業于北京工業大學無線電系半導體物理與器件專業并留校任教，1991年在北京工業大學在職研究生畢業。因本人在科研方面的突出成績，于1998年獲中華人民共和國國務院特殊津貼獎勵。1996—2000年作為訪問學者分別在美國伊利諾依大學（UIUC）和弗吉尼亞州立大學（VCU）從事氮化鎵（GaN）基器件的研究，獲得了當時世界領先的AlGaN/GaN MODFET(調制摻雜場效應晶體管)、GaN P-I-N 紫外光探測器科研成果，并發表了相應的論文。因本人在出國留學期間發表的高水平科研論文、在此期間取得的科研成果及所創造的經濟效益，于2005年獲第二屆北京市留學人員創業獎。

二、主要研究方向：

AlGaN/GaN MODFET、GaN基紫外探測器等新型半導體器件的設計及制造；半導體器件、集成電路熱阻的測試研究；電子元器件、集成電路可靠性及加速壽命試驗的研究。

三、在研課題：

GaN/AlGaN HFET的結構材料生長和器件設計制造基礎技術；GaN基紫外探測器研究；半導體分立器件加速壽命試驗新方法的研究；電源模塊可靠性快速評價技術及失效機理的研究；半導體器件貯存壽命的研究；LED、VDMOS、IGBT可靠性的研究。

四、科研成果

1．獲北京市、電子工業部科技進步獎7項，其中有“功率晶體管峰值結溫非破壞性測量技術”“砷化鎵場效應晶體管溝道溫度精確測量技術”“稅務數據自動化采集和計算機讀卡接收系統”等。

2．獲國家發明專利7項，實用新型專利4項。

3．與他人合著《超大規模集成電路設計技術－從電路到芯片》、譯著《半導體器件電子學》《低成本倒裝芯片技術》。

4．發表科研論文100多篇。

五、聯系方式：

北京工業大學電子信息與控制工程學院郵編100124

E-mail: chzhlu@bjut.edu.cn ，Tel: 67392125