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微電子學與固體電子學學科2024年碩士研究生復試參考

根據教育部關于加強碩士研究生招生復試工作的指導意見及學校有關要求，微電子學與固體電子學學科2024年碩士研究生招生復試指導確定如下。（報考0854集成電路工程方向，按本參考復試）。

復試比例及主要內容

1、復試由筆試和面試兩部分組成，外國語聽力考試在面試中進行。復試的總成績為350分，其中筆試200分，面試150分。

2、復試筆試科目

科目代碼：00122

科目名稱: 微電子學與固體電子學和集成電路工程復試筆試

（1）電子技術，占70分。

主要內容：

半導體二極管及其基本電路；半導體三極管及其放大電路基礎；場效應放大電路；集成電路運算放大器；反饋放大電路；信號的運算與處理電路；信號的產生電路；直流穩壓電源；邏輯門電路；組合邏輯電路的分析與設計；常用組合邏輯功能器件；觸發器；時序邏輯電路的分析和設計；常用時序邏輯功能器件。

參考書目：

1.《基礎電子技術》，蔡惟錚主編，高等教育出版社，2004年8月第1版。

2.《集成電子技術》，蔡惟錚主編，高等教育出版社，2004年7月第1版。

（2）晶體管原理，占70分。

主要內容：

pn結直流特性、空間電荷區和電容、pn結擊穿；雙極型晶體管的基本結構、工作原理、直流特性、頻率特性、開關特性及功率特性；場效應晶體管（包括結型和MOS場效應晶體管）的基本結構、工作原理、直流特性、頻率特性、開關特性及功率特性；MOS場效應晶體管的閾值電壓、短溝道與窄溝道效應及擊穿特性。

參考書目：

1.《微電子器件基礎》蘭慕杰等編，哈爾濱工業大學出版社，2020年版。

2.《微電子技術基礎――雙極、場效應晶體管原理》曹培棟 編著，電子工業出版社，2001年第一版。

3.《雙極型與場效應晶體管》武世香 編,電子工業出版社,1995年版。

（3）半導體集成電路，占60分。

主要內容：

集成電路中常用的器件結構、I/V特性及其寄生效應； MOS邏輯集成電路工作原理、靜態特性、瞬態特性及版圖設計；各類MOS存儲器的結構及特性；數字集成電路自動化設計（verilog硬件描述語言、設計綜合、設計驗證）；模擬集成電路中常用單元的結構、工作原理、性能及模擬集成電路版圖設計特點等。

參考書目：

1.《集成電路設計》，葉以正 來逢昌編，清華大學出版社，2016年版。

2．《CMOS模擬集成電路基礎》，王永生編著，清華大學出版社，2021年7月。

3、面試主要內容

（1）外語聽力及口語；

（2）專業知識綜合運用能力；

（3）科學研究基礎與能力；

（4）綜合表達能力、學習情況及學習能力；

（5）思想政治素質、道德品質、人文素養、社會實踐表現等。