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中科院新疆理化所研究生導師任迪遠介紹如下：

任迪遠,男,研究員(自然科學)

通訊地址:烏魯木齊市北京南路40號附1號

郵政編碼:830011 

任迪遠，男，漢族，1950年生于新疆。中共黨員，研究員，博士生導師。

任迪遠同志長期從事半導體輻射物理領域的研究工作，先后主持或承擔了國家自然科學基金、國家“863”、航天科技預先研究、航天科技基金、中科院基礎重點研究、赴美國耶魯大學合作進行美國國家自然科學基金項目研究等20余項科研課題。獲國家科技進步三等獎１項；中科院科技進步一等獎1項、二等獎2項、三等獎2項；新疆維吾爾自治區科技進步二等獎2項、三等獎1項。近期主要從事雙極類器件和電路的低劑量率輻射損傷增強效應及實驗室加速模擬評估方法的研究；大規模集成電路、SOI器件和電路的輻射損傷評估等方面的研究。目前已培養研究生26人（博士2人、碩士24人）。發表論文130余篇。

任迪遠同志主要的學術兼職有：新疆維吾爾自治區科協委員，中國核學會理事，新疆維吾爾自治區核學會理事長，中國抗輻射電子學與電磁脈沖專業委員會委員；《Chinese Physics B》、《Journal of Semiconductors》等國內核心期刊的論文評審專家。

任迪遠同志曾被國家863授予“《十五》國家863先進個人”稱號，及中國科學院授予的“《十五》預先研究先進個人”稱號。曾多次被評為新疆維吾爾自治區的優秀專家，享受國務院頒發的政府特殊津貼，并獲2000年中國科學院優秀領導班子獎。

主要研究領域：

1． 數字電路、模擬電路及光電器件的總劑量輻射效應及損傷機理研究；
2． 數字電路、模擬電路及光電器件的輻射損傷評估方法研究；
3． 數字和模擬電路及器件的抗輻射加固技術研究；

代表性文章 REPRESENTATIVE PUBLICATIONS

1、任迪遠，陸嫵，余學峰，郭旗，艾爾肯，“雙極器件和電路的不同劑量率的輻射效應研究”，固體電子學研究與進展，2006，26（4）：471。
2、任迪遠，陸嫵，郭旗，余學鋒等，“CMOS運算放大器的輻照和退火行為”半導體學報，2004，25（6）：731。
3、任迪遠，陸嫵，余學鋒，郭旗，張國強，“不同注F劑量與CMOS運放電路的輻照損傷的相關性”　半導體學報，2003，21（7）：780。
4、任迪遠，余學鋒，艾爾肯，張國強，陸嫵，郭旗，范隆，嚴榮良，“MOS電容的熱載流子損傷及其與電離輻射損傷的關系”，固體電子學研究與進展，2001,21(1):103.
5、任迪遠，陸嫵，郭旗，余學鋒，嚴榮良，“不同結構CMOS運算放大器電路的電離輻射效應”，半導體學報, 2000,21（9）：898。

研究領域：管理工程類